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IGBT國產化新布局:賽晶項目基地落戶浙江嘉興

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發表於 2020-6-19 15:22:27 |顯示全部樓層
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IGBT(絕緣柵型雙極型晶體管)國產化再迎新布局。

近日,由賽晶電力電子(0580.HK)子公司賽晶亞太半導體主導的IGBT功率半導體項目正式落地浙江嘉興,並舉行生產基地開工儀式。

據了解,賽晶IGBT生產基地位於嘉善經濟技術開發區,生產線建設分兩期執行。本次動工的一期項目占地34畝,規劃建設2條IGBT芯片背面工藝生產線、5條IGBT模塊封裝測試生產線,建成後年產能達200萬件IGBT模塊產品。

對於具體的項目建設規劃,賽晶方面向《華夏時報》記者表示,預計2020年底前廠房建設完成,2021年一季度第一條生產線試生產、第二條生產線投資啟動,預計未來3至5年完成全部生產線建設。

“IGBT是目前應用技術最先進、應用最廣泛的功率半導體器件,是眾多國家重點發展的新興技術領域的關鍵性基礎元器件。賽晶作為國產技術研發和創新的先鋒,我們的目標是打造出具備國際一流水平的國產IGBT。”賽晶集團董事長項頡稱。

國產化之路待解

IGBT即絕緣柵型雙極型晶體管,主要作用是進行交流電和直流電的轉換、電壓高低的轉換,其作用類似於電腦的CPU。

在工業應用上,IGBT是光伏逆變器和風力發電逆變器的核心器件,也是新能源汽車電機控制器、充電樁等設備的核心元器件。隨著新能源發電行業的迅速發展,IGBT正逐步發展為中高端功率半導體器件的主流應用形態。

以純電動新能源汽車的成本結構為例,動力電池以42%的占比位居第一,緊隨其後的是電控系統,占比11%。而在電控系統中,IGBT成本占比達41%,是電控系統中最重要的構成器件。

作為電控核心部件,由於制造難度大,具有極高的技術壁壘,IGBT一直以來主要被歐美日企壟斷。據中信證券研究部在2020年2月發布的研報顯示,我國IGBT產品對外依賴度接近90%。

從全產業鏈來看,IGBT的前期資本開支大,中期制造良品率決定盈利能力,後端市場開拓也需要培育,國產替代過程仍然面臨重重考驗。

即便如此,在產業政策和市場需求的驅動下,IGBT國產化之路也在向前推進。國內廠商比亞迪(1211.HK)、中車時代電氣(3898.HK)選擇縱向一體化布局,而華虹半導體(1347.HK)、上海先進等專注晶圓制造,斯達半導(603290.SH)、宏微科技也在近年加注布局設計與封裝環節。

四年目標2億美元

西部證券研究所發布的研報援引IHS Markit的數據認為,2018年全球IGBT市場規模為62.4億美元,中國市場規模為19.23億美元,占全球市場規模比例達到30.82%。而隨著中國在新能源領域持續大規模地投入,中國IGBT市場增速將快於全球,占比也將進一步提升。

在此背景下,賽晶電力電子自2016年起開始進行IGBT相關的研發性工作,並在2018年進入電動汽車用數字式IGBT驅動的領域。

在2019年3月的業績交流會上,賽晶集團董事長項頡表示,集團的IGBT業務未來有三大財務目標:2020年實現年銷售收入超過500萬美元;2021年年銷售3000萬美元,達到盈虧平衡;2023年年銷售收入超2億美元,成為世界主流供應商之一。

項頡稱,賽晶的優勢來自於以前行業的生產廠家不多、真正掌握核心技術的也不多,而賽晶的研發團隊實力過硬;且賽晶此前深耕半導體行業,所以非常了解客戶的需求,並能做出快速反應。

據年報顯示,賽晶在2019年啟動了IGBT的自主研發項目,既有國內技術團隊,也包括了來自歐洲知名企業的海外研發團隊。因此,賽晶的研發支出也在2019年水漲船高,較前一年增加15%至6200萬元,佔當期凈利潤的4%。

賽晶表示,將全力推進IGBT項目的實施,盡快完成打造自主技術高端IGBT產品的戰略目標,並使之成為公司長期發展的新動能。

華夏時報
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