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長江存儲量產 64 層堆疊 3D NAND Flash

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發表於 2019-9-2 20:57:00 |顯示全部樓層
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中國紫光集團旗下的長江存儲於 9 月 2 日正式宣布,已開始量產基於 Xtacking 架構的首款 64 層堆疊 256Gb TLC 3D NAND Flash 快閃記憶體,以滿足市場固態硬碟、嵌入式儲存等市場的應用需求。

根據中國媒體的報導表示,長江存儲表示,其新款 64 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體是全球首款基於 Xtacking 架構設計,並且達成量產的快閃記憶體產品,擁有同代產品中最高的存儲密度。

所謂的 Xtacking 架構就是可在兩片獨立的晶圓上,分別加工週邊電路和儲存單元,這樣有利於選擇更先進的製造技術,而且當兩片晶圓各自完工後,其 Xtacking 技術只需一個處理步驟,就可透過數十億根垂直互聯通道 (VIA) 將兩片晶圓結合。相比傳統 3D NAND Flash 快閃記憶架構,Xtacking 架構將可帶來更快的 I/O 傳輸速度、更高的儲存密度,以及更短的產品上市週期。

長江存儲指出,透過將 Xtacking 架構導入大量生產,能夠顯著提升產品性能,縮短開發週期和生產製造週期,從而推動高速大容量儲存解決方案市場的快速發展。而隨著 5G、人工智慧和超大規模資料中心時代的到來,快閃記憶體市場的需求將持續成長。長江存儲 64 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶產品的量產,將與全球的記憶體大廠進一步搶食市場。

2016 年,長江存儲在 NOR Flash 晶圓製造商武漢新芯的基礎上,由紫光集團聯合國家積體電路產業基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資組建而成,總投資約為 240 億美元,負責國家記憶體基地計畫的、建設和營運。之後,長江存儲於 2017 年研製成功中國第一顆 3D NAND Flash 快閃記憶晶片。

2018 年 8 月,長江存儲再公開其 Xtacking 生產技術,期望以 Xtacking 生產技術,在小規模量產 32 層 3D NAND Flash 快閃記憶體之後,能追趕上全世界的記憶體大廠,縮小與 64 層堆疊,甚至 128 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶的世界水準。根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新調查,三星 2018 年 NAND Flash 銷售額為 221.9 億美元,全球市場市占率達 35%,高居第一。日本東芝(Toshiba)以 19.2% 市占率排名第二,SK 海力士市占率 10.6%,排名第五。另外,就目前的生產技術來說,三星與東芝目前都已經在量產 96 層堆疊的 3D NAND Flash 快閃記憶體,SK 海力士甚至要進一步生產 128 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體的情況下,長江存儲若能順利量產 64 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體,將可拉近期之間的世代差距。

值得一提的是,除了透過長江存儲布局 3D NAND Flash 快閃記憶體進入外記憶體市場外,紫光集團也在 DRAM 記憶體市場做了布局。8 月 27 日,中國重慶市人民政府與紫光集團簽署「紫光存儲晶片產業基地專案合作協議」,根據協議,紫光集團將在重慶兩江新區發起設立紫光國芯積體電路股份有限公司和重慶紫光積體電路產業基金,建設包括 DRAM 總部研發中心在內的紫光 DRAM 事業群總部、DRAM 記憶體製造工廠、紫光科技園等。由此可知,中國發展記憶體產業過程中,紫光集團在未來將扮演重要的關鍵角色。

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