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長江存儲推出128層3D NAND

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發表於 2020-4-13 16:14:40 |顯示全部樓層
長江存儲科技有限責任公司4月13日宣布,其128層QLC 3D NAND 閃存(型號: X2-6070)研發成功,並已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。

作為業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存,長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度、最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。

為滿足不同場景的需求,此次同時發布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規格閃存芯片(型號:X2-9060)。

據了解,在長江存儲128層系列產品中,Xtacking架構已全面升級至2.0。因而,在I/O讀寫性能方面,X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現1.6Gbps的數據傳輸速率。

存儲方面,資料顯示,每顆X2-6070 QLC閃存芯片擁有128層三維堆棧,共有超過3,665億個有效的電荷俘獲型(Charge-Trap)存儲單元 ,每個存儲單元可存儲4字位(bit)的數據,共提供1.33Tb的存儲容量,是上一代64層單顆芯片容量的5.33倍。

長江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊指出,長江存儲128層QLC 版本將率先應用於消費級SSD,並逐步進入企業級服務器、數據中心等領域,以滿足未來5G、AI時代多元化數據存儲需求。

閃存和SSD領域知名市場研究公司Forward Insights創始人兼首席分析師Gregory Wong指出,隨著主流消費類SSD容量邁入512GB及以上,QLC SSD未來市場增量將非常可觀。

“與傳統HDD相比,QLC SSD更具性能優勢。在企業級領域, QLC SSD將為服務器和數據中心帶來更低的讀延遲,使其更適用於AI計算,機器學習,實時分析和大數據中的讀取密集型應用。在消費類領域,QLC將率先在大容量U盤,閃存卡和SSD中普及。”Gregory Wong表示。

2019年9月2日,長江存儲宣布,其已開始量產基於Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,其中每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位,每個存儲單元為三個字位的三維閃存,以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求,這也是中國首款64層3D NAND閃存。

21財經


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