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中芯國際首款N+1工藝芯片迎突破

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發表於 2020-10-13 00:06:12 |顯示全部樓層
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被外界稱為對標台積電7nm工藝的中芯國際N+1工藝近期再獲新突破。據IT之家10月11日報道,我國一站式IP定制芯片企業芯動科技(INNOSILICON)發布消息稱,該公司已完成全球首個基於中芯國際FinFET N+1先進工藝的流片和測試,所有IP全自主國產,且功能測試一次通過。

所謂完成芯片流片,也就意味著該制程工藝已經具備有意義的“良品率”,並且可以嘗試進行批量生產。截至發稿,中芯國際港股漲超10%,成交額超9億港元。

此次成功流片是芯動科技與中芯國際“強強合作”,突破N+1工藝瓶頸的成果。自2019年開始,芯動科技就在中芯國際N+1工藝尚待成熟的情況下,投入數千萬進行優化設計,並投入技術團隊全程攻堅克難,成功助力中芯國際突破N+1工藝良率瓶頸。

在今年3月底,中芯國際也表示,先進工藝正是中芯國際今年發展的重點,接下來該公司會轉向下一代工藝——N+1及N+2代FinFET工藝的研發。

N+1工藝是中芯國際再第一代先進工藝14nm量產後,第二代先進工藝的代號。據透露,與14nm相比,N+1工藝有了更大的突破——性能提升20%、功耗降低57%以及邏輯面積縮小63%等;而在N+1之後,中芯國際還將著手研發性能更高的N+2。

總的來說,此次全球第一款基於中芯國際N+1工藝芯片流片成功,為實現大規模量產邁出了堅實一步,也為國產芯片的發展增添了力度。

新浪財經
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